纳微半导体GaNFast™️技术进入realme GT Neo 3智能手机供应链
西班牙巴塞罗那：2022 年 3 月 1 日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布，当地时间本周一在西班牙巴塞罗那举办的MWC世界移动通讯大会上发布的realme GT Neo 3 智能手机系列标配充电器，正式采用了纳微半导体旗下的GaNFast 氮化镓功率芯片。
即将正式上市的realme GT Neo 3 搭载联发科天玑8100芯片，配备的150W 光速闪充，是目前业界最快、最强大的商用充电解决方案。
围绕纳微 GaNFast 功率芯片构建的 150W 充电器能在 5 分钟内为手机的 4500 mAh 电池充满50%的电量，氮化镓快充技术得到了充分发挥，这款充电器的尺寸仅为 58mm*58mm*30mm，101cc，实现了业界领先的1.5w/cc的功率密度。
氮化镓是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体专有的氮化镓功率芯片在单个 SMT 封装中，集成了 GaN 功率 (FET) ， GaN 驱动，控制和保护功能，是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”构建模块，和传统硅方案充电器相比，充电速度提升高达 3 倍、缩小了一半的尺寸和重量，节能高达 40%。
徐起，realme副总裁，全球营销总裁兼中国区总裁对产品的发布表示：“我们的光速秒充技术实现了全球最快的智能手机充电解决方案，为新realme GT Neo 3的用户在最短的时间内为手机充满电提供了灵活性和便利性。纳微半导体GaNFast氮化镓功率芯片是实现这一充电性能跨越，同时保持充电器轻盈小巧的重要基石。”
纳微半导体首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“纳微半导体在此衷心祝贺 realme即将全球首发的 GT Neo 3 系列，并祝贺其实现全球首个量产的 150W 充电商业解决方案。纳微深感荣幸，GaNFast 技术能助力这一快充领域的里程碑。realme 打造的全新 150W光速秒充，为新一代移动快充的效率、速度和外形尺寸设立了新的标准。”
关于realme
realme是一家专注于提供优质智能手机和AIoT产品的科技潮牌。秉承创新基因，realme在产品性能、设计、品质和服务方面不断超越自我，致力让全球年轻人以合理的价格购买到兼具越级性能和潮玩设计的智能产品。
2018年由李炳忠创立的realme，秉持“敢越级”品牌理念，仅用37个月就达成全球手机销量突破1亿台，成为最年轻的全球TOP6智能手机品牌。截至目前，realme 已进入中国、东南亚、南亚、欧洲、俄罗斯、中东、拉美和非洲等全球 61 个市场，30个市场realme整体销量位列TOP5，其中菲律宾市场位列TOP1，印度市场位列TOP2。realme相信改变世界不需要论资排辈。
关于纳微半导体：
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制和保护集成在一起，为移动设备、消费电子、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。纳微半导体拥有超过145项已经颁发或正在申请中的专利，超过3500万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已经发货，终端市场的GaN失效为零。2021年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易。
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